안녕하세요. 교수님.

일전에 ICP에서 발생되는 self bias로 쿼츠가 식각될 수 있는지에 대해 문의드렸습니다.

그 때의 답변 감사드립니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 그때와 이어지는 내용인데요.

저희의 실험(다층박막) 중 SiO2가 아닌 다른 물질을 증착 중 식각된 쿼츠에서 SiO2가 기판으로 날아와 일부 증착되는 것으로 예상이 됩니다.

그래서 여러가지 특성에 일부 영향을 주는데

쿼츠 쪽에서 발생되는 시각을 줄이기 위해 self bias를 줄일 방안을 생각해보았습니다.

그 중에 ICP영역(코일 전면부)에 영향을 주지 않는 선에서 anode를 장착하여 self bias를 만드는 전자들을 빼내어주는 방안을 생각해보았는데

이 경우 플라즈마 형성에는 문제가 없는지와 이 방법으로 정말 self bias를 줄여 식각현상을 줄이거나 없앨 수 있는지가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20077
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 382
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 141
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 369
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 222
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 721
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1292
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 263
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 405
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
712 corona model에 대한 질문입니다. [1] 168
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 199
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 572
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 420
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 391
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 304
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 967
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 572

Boards


XE Login