CCP CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응

2021.05.24 15:35

피했습니다 조회 수:966

안녕하십니까 교수님. 반도체 장비회사에서 공정개발 직무를 담당하고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 플라즈마 식각기술 책을 읽는 와중에 궁금한 점이 생겨 이렇게 질문을 남깁니다.

 

책에서 접지된 전극에 기판을 놓을 경우 Radical에 의한 반응이 반응성 이온의 영향보다 크게 되고,

고주파 전극에 기판을 놓게 되면 반대로 되어 이방성이 커진다고 하는데 

 

집지된 전극에 기판을 놓을 경우 왜 Radical 반응이 주가 되는 건가요?

접지라는 것이 이 구조에서 어떻게 영향을 끼치는 것인지 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76683
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57157
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68677
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92193
727 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 389
726 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 390
725 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 392
724 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 395
723 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 400
722 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 403
721 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 410
720 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
719 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 426
718 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 428
717 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] 432
716 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 432
715 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 434
714 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 441
713 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 443
712 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 445
711 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 445
710 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 450
709 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 454
708 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 463
쓰기
태그

Boards

XE Login