Plasma in general 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..?
2021.05.25 11:57
안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 장비엔지니어 입니다.
에칭을 진행하는 특정 공정에서 특정 Step을 진행하는 중간에
60Mhz만 Ref가 튀면서 Bias Power도 튀는 현상이 있습니다..
27Mhz, 2Mhz도 사용하지만 해당 Power의 Ref는 정상이구요..
매쳐나 Generator를 바꿔봐도 현상이 똑같은거보면 chamber 내부에서 분위기가 달라지면서 발생하는 현상일 것 같은데
어떤 이유들이 이런 현상을 일으킬 수 있을까요..?
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
723 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24295 |
722 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24259 |
721 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24159 |
720 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24120 |
719 | self Bias voltage | 23993 |
718 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23959 |
717 | 플라즈마 쉬스 | 23922 |
716 | Arcing | 23741 |
715 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23718 |
714 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23424 |
713 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23371 |
712 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23317 |
711 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23254 |
710 | DC glow discharge | 23225 |
709 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23101 |
708 | No. of antenna coil turns for ICP | 23079 |
707 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23038 |
706 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22930 |
705 | CCP/ICP , E/H mode | 22922 |
704 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22839 |