안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
723 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24295
722 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 24257
721 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24159
720 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24120
719 self Bias voltage 23993
718 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23959
717 플라즈마 쉬스 23922
716 Arcing 23740
715 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23718
714 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23424
713 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23371
712 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23317
711 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23254
710 DC glow discharge 23225
709 고온플라즈마와 저온플라즈마 23101
708 No. of antenna coil turns for ICP 23079
707 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 23038
706 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22930
705 CCP/ICP , E/H mode 22920
704 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] 22838

Boards


XE Login