-> 실명으로 작성했다고 생각했는데 닉네임으로 되어있어서 죄송합니다.ㅜㅜ 닉네임 실명으로 수정하였습니다.
안녕하세요
현재 원기둥 모양의 얇은 텅스텐을 강염기 KOH로 전기에칭을 진행하고 있습니다.
Etching이 완료된 후 SEM으로 이미지를 보면 어떤물질인지 정확히 알 수 없는 수십나노 size의 Contamination들이 표면에
붙어있습니다.
현재 플라즈마 장비로 이런 Contamination을 제거하기 위한 방법들을 찾아보고 있는 와중에 일전에도 도움주셔서 이렇게 글을
남겼습니다.
저희가 사용하는 플라즈마 장비는 진공플라즈마가 아닌 대기압플라즈마를 사용하며, 워낙 얇은 텅스텐을 사용하다보니
진공플라즈마에서 피뢰침처럼 Ark 방전이 발생하여 일부로 시료의 damage가 덜한 대기압플라즈마로 Remote 방식을 쓰고 있습니다.
현재 대기압플라즈마로 Native oxide제거(연구중), 정전기 제거(주사용)로 사용하고 있는데 추가적으로 Contamination 제거도 진행
하려고 합니다.
이러한 상황에서 좋은 접근방법이 있을지 여쭤보고 싶습니다.
바쁘신 와중에 글 읽어주셔서 감사합니다.
이온나이저, 대기압 방전에서는 전자,이온,라디컬, UV가 발생합니다. 압력이 높아 음이온들이 공간에 퍼지고, 라디컬이 많이 생성된다고 할 수 있습니다. 하지만 그 밀도가 높지는 않아, 아마도 이온나이저로 세정을 하면 세정시간이 많이 걸리는 문제가 있을 것입니다. 따라서 세정용이라면 이온나이저 보다는 고밀도 라디컬 생성이 가능한 상압 방전 방법, APPJ (atmostpheric pressure plasma jet)을 이용할 수 있을 것 같습니다.