안녕하세요 ICP Dry Etch 설비를 운용하는 엔지니어입니다. 

 

일전에도 비슷한 질문을 하긴 했는데요, 추가로 궁금한것이 있어 질문드립니다. 

 

 설비 문제점 발생 :  

- 13.56MHz를 Bias1으로 50w, Striking 및 Etch로 사용하는 Recipe에서만 DC bias 발생하고 있는데요. 특정 step에서만 Trend 내 Hunting이 발생하고 있고, 다른 Step에서도 동일하게 Bias1을 사용하는데 문제점이 발생하지 않고 있습니다.

- 해당 문제는 매 w/f 진행 간 발생하는것이 아닌 한번 발생하면 추가 발생 빈도수가 높은 문제가 있습니다. 

 

1. 관리하는 Parameter에서 DC Bias란 W/F 와 Plasma에 인가된 전압으로 알고 있는데요, Etch 하고자 하는 Layer의 계면 및 Gas, etchant 등으로 DC Bias가 영향이 많이 갈까요? 

 

 

2. 1번 질문이 맞다면, Hbr로 si layer를 etch할 때 ion Energy, DC Bias가 Hunting하는 과정이 궁금합니다. 

> Hbr이 Si Layer를 etch 하면서 SiBr4가 날라가면서 DC bias가 hunting 하는지...?

 

 

3. 해당 문제는 HW적인 조치로 발생율을 완화하고 있는데요, PLASMA RF RETRUN PATH로 작용하는 설비 내 CATHODE와 연결되는 PARTS를 교체하고 있습니다. 

해당 PARTS는 원형 평면구조로 ESC 둘레로 장착되며, Y2O3로 코팅되어 있는데요, HBr의 gas 영향성으로 Si layer를 ETCH 하는 과정에서 RF RETRUN PATH로 작용하는걸 방해 할 수 있을까요? 

 

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77905
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20781
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57698
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69199
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93550
756 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [Bactericidal 이해] [2] 217
755 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 311
754 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 654
753 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [Glow discharge process 이해] [1] 741
752 대기압 플라즈마 문의드립니다 [플라즈마 전원 이해] [1] 286
751 standing wave effect, skin effect 원리 [Maxwell 방정식 이해] [1] 492
750 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [DC breakdown 및 sheath] [1] 347
749 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 856
748 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 459
747 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 930
746 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 897
745 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 536
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 366
743 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 332
742 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 559
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 435
740 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 584
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 822
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 752
» ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 492

Boards


XE Login