안녕하세요 반도체 회사에 다니고있는 구성원입니다.

에칭장비를 담당하는데, 챔버 pm후 RF가 세팅값까지 안올라오는 경우

오토매칭을 사용하지 않고, 매쳐의 LOAD,TUNE값을 조절해서 RF POWER를 원하는 값으로 맞추는데요

원리를 모르고 하다보니, 시간이 오래걸리고, 조절하다보면 FORWARD값은 맞춰지지만 REFLECT값도 함께 올라가서

애를먹는 경우가 있습니다

매쳐에서 LOAD, TUNE의 역할은 무엇인가요??? 또한 원하는 FORWARD/REFLECT값을 얻기위해 LOAD/TUNE 조절을 쉽게 할 수 있는 방법이 있을까요?

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
61 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3115
60 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3136
59 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3386
58 ESC Cooling gas 관련 [1] 3515
57 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3565
56 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3638
55 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3860
54 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4295
53 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5022
52 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5465
51 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5786
50 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5870
49 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6254
48 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6454
47 ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다. [1] 7065
46 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7162
45 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7593
44 RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [4] 8037
43 Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. 8569
42 ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9817

Boards


XE Login