질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:91697 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
122 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1159
121 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
120 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1234
119 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1268
118 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1287
117 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1293
116 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1352
115 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1365
114 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1399
113 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
112 Ar plasma power/time [1] 1429
111 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1472
110 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1637
109 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1698
108 터보펌프 에러관련 [1] 1738
107 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1771
106 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1786
105 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1829
104 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1879
103 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1899

Boards


XE Login