안녕하세요.

해외에서 박사과정을 하고 있는 학생입니다.


RF스퍼터로 reactive sputtering을 통해 유전층을 증착하는 실험을 하는데요.

저희연구실에서는 스퍼터링 가스로 Ar/Kr를 사용하고 있습니다.

학부때는 Kr이 Ar보다 질량이 커서 sputtering yield가 증가한다 정도로만 배웠는데, ion bombardment energy 가 작기 때문에 플라즈마 데미지가 줄고, 더 좋은 막질이 형성된다고 하더라구요.

논문을 조금 찾아봤는데 스퍼터링 가스에 대한 연구는 오래전에 진행되었는지 최근논문들을 찾아보기 힘들더라구요.

그냥 단순히 생각했을 때 질량이 크면 충돌하는 에너지도 크고, 데미지가 더 셀 것 같은데 Kr 등의 가스가 Ar보다 플라즈마 데미지가 적은 원리에 대해 설명을 부탁드려도 될까요?


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5597
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16873
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51346
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64205
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84185
92 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1612
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1797
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1822
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1880
» sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1955
87 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2120
86 Plasma etcher particle 원인 [1] 2146
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2389
84 PR wafer seasoning [1] 2443
83 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2443
82 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2479
81 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2652
80 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2668
79 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2679
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2885
77 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2895
76 플라즈마 색 관찰 [1] 3079
75 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3088
74 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3147
73 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3511

Boards


XE Login