Plasma in general Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요?
2018.12.26 15:02
PLASMA SPACING은 고정한채 Frequency만 조절하여 플라즈마 세로 영역을 확장할 수 있을까요?
Frequecny가 low일수록 이온의 움직일 수 있는 시간이 늘어 이온이 아래위로 더 움직일 수 있을거 같은데
이를 증명할 수 있는 방법이나, 이 사실에 대해 아시는 분 답변 부탁드립니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] | 2291 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 12771 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 49612 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 61085 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] | 78327 |
| 599 |
Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다.
[1]  | 363 |
| 598 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 369 |
| 597 | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 372 |
| 596 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 374 |
| 595 | 활성이온 측정 방법 [1] | 376 |
| 594 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 381 |
| 593 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 382 |
| 592 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 384 |
| 591 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 385 |
| 590 |
해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안
[1] | 388 |
| 589 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 391 |
| 588 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 395 |
| 587 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 395 |
| 586 | RF matcher와 particle 관계 [2] | 399 |
| » | Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] | 401 |
| 584 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 402 |
| 583 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 406 |
| 582 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 408 |
| 581 |
수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다
[2] | 416 |
| 580 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 417 |
게시판의 plasma in general 항목에서 그 이유를 찾을 수 있지 않을까 합니다. 확인해 보세요. 참고로, plasma heating은 electron을 표면 반응은 ion을 활용합니다. 또한 각각의 열운동 특성이 다름으로 thermal velocity가 다르며, 이에 따라서 rf 시간동안 반응할 수 있는 거리를 추론해 볼 수가 있고, 이 기반으로 전극 gap 사이에서 플라즈마의 입자들이 얼마나 움직일 수 있는가를 따져 볼 수가 있겠습니다.