안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.

O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금

다를 수 있다는 내용을 보았는데요..


현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우

다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금

합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1172
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 894
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49370
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59418
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 73972
576 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 22593
575 No. of antenna coil turns for ICP 22593
» 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22583
573 DC glow discharge 22427
572 self Bias voltage 22372
571 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 22357
570 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 22340
569 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22253
568 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22235
567 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [1] 22219
566 pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] 22206
565 고온플라즈마와 저온플라즈마 22190
564 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22097
563 plasma와 arc의 차이는? 21978
562 Peak RF Voltage의 의미 21947
561 플라즈마 코팅에 관하여 21811
560 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 21806
559 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 21666
558 Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] 21619
557 펄스바이어스 스퍼터링 답변 21617

Boards


XE Login