Chamber component 알고싶습니다
2020.09.09 11:31
안녕하세요. 반도체 장비부품쪽 업종에서 일을 하고 있습니다.
현재 Etch 장비를 Coating 후 1Cycle을 사용한 후 Particle Issue가 일어나 중간에 세정을 진행하여 장착하면 E/R값이 상승합니다.
E/R값을 잡기 위해서 세정후에 Coating면에 Plasma를 조사하면 어떨까 하는데 효과가 있을지가 궁금하고 E/R값이 전반적으로 어떤 것에 영향이 미치는지 궁금합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76541 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20077 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
703 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22748 |
702 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22683 |
701 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22607 |
700 | Peak RF Voltage의 의미 | 22579 |
699 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22571 |
698 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22534 |
697 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22229 |
696 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22112 |
695 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22086 |
694 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22003 |
693 | 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 | 21992 |
692 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 21983 |
691 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21930 |
690 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21871 |
689 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21723 |
688 | manetically enhanced plasmas | 21650 |
687 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21545 |
686 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21536 |
685 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21510 |
684 | F/S (Faraday Shield) | 21469 |
실공정에서는 seasoning으로 이 문제를 해결하는 것으로 알고 있습니다. 식각의 경우 벽면에 흡착된 F가 탈착하면서 식각률을 키우는 것으로 예상됩니다. 이는 역으로 전공정에서 F의 벽면 흡착이 진작되고 있음의 반증이기도 하여, 세정 후 시스닝 과정을 거쳐 이전 공정 상태와 유사한 표면 상태를 만들고 공정을 진행하게 됩니다. 원론적인 말씀을 드렸습니다. 재료와 공정 가스 및 조건에 따를 것으로 운용 장비의 플라즈마 데이터와 공정 데이터 및 부품 표면 특성에 대한 정보를 종합해서 데이터를 취합하시면 좋을 것 같습니다. 부품-장비-공정이 물리는 문제이며, 이는 최근에 장비 및 공정 이슈인 TTTM (tool-to-tool matchi: 장비간의 이격 해소 방법을 찾기 위한 중요한 자료로서 가치가 큼) 까지 고려하는 것이 좋을 것 같습니다. 가급적 부품의 재료/제작/표면 상태 에 대한 정보를 많이 찾아서 비축해 두시기 바랍니다. (데이터가 큰 값어치를 할 때가 올 것이니 대비하시는 것이 좋습니다) 참고가 되었으면 합니다.