Plasma in general low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜.
2021.04.09 12:04
안녕하세요, 교수님. 반도체 업종 엔지니어로 일하고 있는 김기영입니다.
다름 아니라 보통 Pressure 영역대가 낮아질수록 아킹이 더 잘 발생한다고 하는데
왜 Low Pressure 영역이 High Pressure 영역보다 Arcing 이 취약한지 문의드립니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20179 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
709 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22762 |
708 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22695 |
707 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22620 |
706 | Peak RF Voltage의 의미 | 22603 |
705 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22579 |
704 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22540 |
703 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22239 |
702 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22135 |
701 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22117 |
700 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22113 |
699 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22091 |
698 | 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 | 21997 |
697 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21944 |
696 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21894 |
695 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21753 |
694 | manetically enhanced plasmas | 21657 |
693 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21573 |
692 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21540 |
691 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21513 |
690 | F/S (Faraday Shield) | 21498 |
아크 발생을 이해하기 위해서는 파션커브를 이해해 보시면 좋을 것 같습니다. 파괴전압-압력x길이(전극간의 거리 혹은 평균충돌 거리)로 pd 곡선이라고도 합니다. 본 게시판에서 글로우 방전, 파센곡선(커브) 으로 찾아 보시면 압력과 전기장과 재료 특성이 방전 개시에 미치는 영향이 있음을 이해하시는 데 도움이 클 것입니다. 아울러 챔버 내 기구 내에서 아크 및 벽면 분순물 근방 혹은 SH에서의 아크 등의 현상을 이해하시는데 도움이 됩니다.