Ashing H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점...
2010.04.10 19:15
안녕하세여... 자료를 찾던중 도저히 모르겠어서 답변 부탁드립니다. 현재 H2 플라즈마로 표면 처리를 하고 있습니다. 그러나, 폴리머 계통이 잘 Ashing되지 않아, O2를 쓰려고 합니다. 몇몇 업체에서는 미량의 산소를 수소와 함께 쓰는 것으로 알고 있습니다. 그러나 산소와 수소가 섞이면 반응하는 것으로 알고 있어서 위험할 것 같아서 질문드립니다. 수소 플라즈마에 산소를 섞으면 얼마의 비율로 섞어야 하는지 궁금합니다. 정확한 수치가 없다면, 제가 찾아봐야할 관련자료라도 알려 주시면 고맙겠습니다. 감사합니다. 답변 꼭 부탁드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20184 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
102 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1756 |
101 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1386 |
100 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2581 |
99 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1295 |
98 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 472 |
97 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1661 |
96 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2316 |
95 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1183 |
94 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 843 |
93 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2260 |
92 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5454 |
91 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1425 |
90 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2306 |
89 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2325 |
88 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 4258 |
87 | PR wafer seasoning [1] | 2701 |
86 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1793 |
85 | ICP 후 변색 질문 | 725 |
84 | Plasma etcher particle 원인 [1] | 2965 |
83 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 423 |