안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.

궁금점에 대해 여쭈어 봅니다

일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.

PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.

일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.

Forword Power [%]

Reflect Power [W]

Bias(Vpp) Power

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
102 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3188
101 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3144
100 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3043
99 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
98 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
97 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2879
96 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
95 PR wafer seasoning [1] 2694
94 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
93 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2602
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2387
90 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2296
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2294
87 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2247
86 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2243
85 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
84 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2228
83 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038

Boards


XE Login