Others 고온 플라즈마 관련

2012.06.04 11:49

몽돌 조회 수:8090

안녕하세요?

배가스의 SOx와 NOx 처리에 저온 플라즈마를 사용하는데 관련된 논문이 있었는데,

그 중에서 Radical 생성이 잘 되지 않아서 문제가 있는 것을 봤습니다.

혹시 고온 플라즈마를 사용하여 Radical 생성을 더 잘 생성시킬 수 있을까요?

만약 고온 플라즈마가 Radical을 더 잘 생성시킬 수 있다면 왜 지금까지 연구하신 분들이 모두 저온 플라즈마를 사용하는 방안을

연구하셨을까요? 거기에 다른 이유가 있나요?

빠른 답변이면 감사하겠습니다.
이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76711
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57163
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68686
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92249
102 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3267
101 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
100 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
99 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2965
98 Plasma etcher particle 원인 [1] 2962
97 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2889
96 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2869
95 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2737
94 PR wafer seasoning [1] 2701
93 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2628
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2581
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2450
90 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2321
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2312
87 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
86 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2303
85 etching에 관한 질문입니다. [1] 2257
84 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2256
83 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2049
쓰기
태그

Boards

XE Login