안녕하세요?


현재 반도체 회사에서 CVD 설비 PART에 근무하고 있는 윤종문이라고 합니다.


플라즈마와 관련되어 CCP 방식의 설비에서 발생되는 문제에 대해 질문하려고 하는데요

HF(13.56Mhz)와 LF(4khz)를 모두 사용하는 설비입니다.


LF의 주파수가 고정되어 있는 상태에서 파워가 800kW가 되었을 때, Alloy 6061로 이루어진 Shower Head에서 Mg의 반응성이 문제가 되어 Particle Issue가 발생되고 있는데요.. 그 이유를 찾고 있습니다.

논문을 하나 찾아본 것이 있는데, 그 논문에서는 고온에서 발생하는 열팽창계수의 차이 때문에 발생되는 Warpage로 인해 코팅된 표면에 Crack이 발생되어 Flouorine이 침투되어 영향을 줄 수 있다고 되어있습니다만..

이 경우에는 온도는 동일하고 LF의 파워가 800kW가 되었을 때만 문제가 발생합니다.

LF POWER가 상승하면 alloy의 표면에 온도에 대한 영향을 주는 건지 궁금하네요.


요약


1 / 플라즈마(LF의 주파수는 고정)의 파워가 상승 했을 때 Alloy 6061에 어떤 영향(화학적으로, 특히 Mg에)을 미칠 가능성이 있는지요?

2 / Mg이 반응하게 되는 이유가 반응성이 크다 라는 것 말고 RF적으로 다른 이유가 있을까요?

3/ 논문에서 온도에 대한 영향 가능성을 읽었는데, 플라즈마 파워가 온도에 영향을 critical하게 주는 factor인가요?

4 /  이런 문제를 해결하기 위해 chemical polishing이나, seasoning을 염두에 두고 있는데.. 어떤 부분에서 접근해야 영향성을 줄일 수 있을까요?


라고 정리해보았습니다.


제가 아는게 그리 많지 않아서 질문이 많습니다..

답변 해주시면 감사하겠습니다 ^_^..

좋은 하루 되세요..

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
103 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3188
102 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3144
101 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3043
100 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
99 Plasma etcher particle 원인 [1] 2921
98 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2879
97 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
96 PR wafer seasoning [1] 2694
95 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
94 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2601
93 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
92 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2385
91 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
90 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
89 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2294
88 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
87 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2243
86 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
85 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2228
84 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038

Boards


XE Login