안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
102 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1948
101 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1961
100 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038
99 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2229
98 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
97 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2247
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2247
95 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2295
94 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2299
93 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
92 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2388
91 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2604
89 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2664
88 PR wafer seasoning [1] 2694
87 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2851
86 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2880
85 Plasma etcher particle 원인 [1] 2924
84 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
83 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3043

Boards


XE Login