Plasma in general O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다.

2020.05.28 12:04

김병진 조회 수:6434

안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.

궁금한 점이 있어 질문드립니다.

Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.

또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.

챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76692
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 607
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 314
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 999
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 584
703 self bias [1] 526
702 Self bias 내용 질문입니다. [1] 805
701 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 697
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 612
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1162
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 363
697 ICP lower power 와 RF bias [1] 1429
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 573
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 170
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 864
693 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 605
692 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 607
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28713
690 plasma modeling 관련 질문 [1] 386
689 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 712
688 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 734
쓰기
태그

Boards

XE Login