안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16912
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64221
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84301
611 라디컬의 재결합 방지 [1] 465
610 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 879
609 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 911
608 전자 온도 구하기 [1] file 635
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 220
606 CVD 공정에서의 self bias [1] 1331
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 2877
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 474
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1556
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 600
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 604
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 515
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 797
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1203
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 894
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 1618
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 165
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1813
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 882

Boards


XE Login