안녕하세요, 현재 반도체 회사에서 근무 중입니다.

관리하는 설비 중 Decoupled Plasma를 사용하는 설비가 있습니다.

ICP Type의 설비이고 ESC Chuck은 사용하지않습니다.

pulsed rf power를 사용하는 설비인데, 여기서 decoupled plasma의 개념에 대해 궁금해서 질문남깁니다.

 

질문) Decoupled Plasma는 ion density와 ion energy를 분리한다는 의미인데 rf power의 상승에 따라 ion density는 상승하지만 ion energy는 낮은 상태를 유지하는 Mechanism이 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20178
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 435
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 398
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 613
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 314
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1008
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 586
703 self bias [1] 527
702 Self bias 내용 질문입니다. [1] 814
701 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 700
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 616
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1172
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 364
697 ICP lower power 와 RF bias [1] 1434
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 575
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 170
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 869
693 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 609
692 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 609
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28719
690 plasma modeling 관련 질문 [1] 387

Boards


XE Login