안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.

 

 다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.

주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다. 

 

4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?

 

SiO2+4F->SiF4 (g) +2O

 

전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다. 

답변 주시면 감사하겠습니다.

 

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