안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.

 

다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.

 

METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.

 

이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..

 

도움 부탁드립니다. 감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [298] 77524
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20600
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57537
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69043
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93192
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 678
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 308
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 396
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 274
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 703
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 645
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 383
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 578
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 398
» 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 807
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 675
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 442
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 208
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 177
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 464
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 260
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 701
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 958
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1643
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 325

Boards


XE Login