Remote Plasma ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요?
2012.02.25 11:04
ICP dry etch 장비에 대해 이제막 공부를 시작하고 있는데요..
RF Power로 부터 가해지는 전자기파가 도체 내를 통과할 수 있는 깊이가 skin depth라고 알고 있는데
그렇다면 skin depth가 클수록 전자기파가 플라즈마에 영향을 주어 플라즈마 밀도도 높아져서
etch rate 측면에서 볼 때 좋아진다고 생각이 되는데... 이런 메카니즘으로 이해하는것이 맞는 건지요..?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76540 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
703 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22747 |
702 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22683 |
701 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22607 |
700 | Peak RF Voltage의 의미 | 22578 |
699 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22571 |
698 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22534 |
697 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22229 |
696 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22112 |
695 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22086 |
694 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22003 |
693 | 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 | 21992 |
692 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 21983 |
691 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21930 |
690 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21871 |
689 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21723 |
688 | manetically enhanced plasmas | 21650 |
687 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21545 |
686 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21536 |
685 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21510 |
684 | F/S (Faraday Shield) | 21469 |