Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요

2010.01.20 17:55

송기철 조회 수:23758 추천:200

안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68695
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
82 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 694
81 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5836
80 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2313
79 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
78 ICP와 CCP의 차이 [3] 12481
77 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1863
76 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2631
75 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3525
74 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6406
73 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 8594
72 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6245
71 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 636
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1408
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5265
68 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6069
67 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3901
66 Ar plasma power/time [1] 1436
65 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17440
64 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11407
63 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
쓰기
태그

Boards

XE Login