Sputtering Ar plasma power/time

2016.07.26 10:23

Plasma#61 조회 수:1429

안녕하세요

 

반도체 Assembly회사에 재직중인 엔지니어 입니다.

 

assembly회사에서 sputtering을 통해 package위에 박막 증착을 하는 공정을 맡고 있는데요

 

Polymer계열의 packaging material위에 박막 접착력을 증가시키기 위해서 실험을 해보았는데요

 

CCP-RIE 타입 RF PLASMA로 Ar gas 만을 사용하여 power는 500/1000/2000W 시간은 각각의 파워에 120/240/360/480sec, pressure는 전부 8mTorr로 적용하였습니다.

 

파워를 높일수록 roughness가 증가하여 접착력이 좋아진다고 생각하였는데 결과는 시간은 거의 상관없이 500W>1000W>2000W로 나왔습니다

 

AFM같은 장비로 표면분석을 해봤으면 좋겠는데 해당 장비가 없고 외부에 의뢰하여 측정해야 하고 제약이 많이 따라서

 

상기와 같은 현상을 이론적으로 어떻게 설명 가능한지 여쭙고 싶습니다

 

접착력 테스트는 Tape test라고 ASTM D3359-09 방법과 같이 칼로 polymer위에 depo된 박막을 crosshatch하고 tape을 붙여서 떼는 방법입니다.

 

말씀드린 정보로 결론을 도출하기에 어려운 부분이 있을수도 있지만 혹시 실험하실때에 경험하셨거나 이론적인 부분에 대해서 알고계시다면 조언 부탁 드리겠습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3144
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3188
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3490
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3623
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3761
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3857
76 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3949
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4121
74 플라즈마 색 관찰 [1] 4191
73 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4241
72 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5183
71 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5421
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5734
69 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6045
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6200
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6359
66 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6381
65 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6483
64 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
63 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7695

Boards


XE Login