Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:2295

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
684 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 728
683 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 950
682 RF Sputtering Target Issue [2] file 569
681 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 592
680 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1782
679 plasma striation 관련 문의 [1] file 461
678 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 536
677 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 617
676 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 535
675 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1121
674 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1118
673 Plasma Arching [1] 1024
672 Polymer Temp Etch [1] 634
671 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 971
670 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 455
669 플라즈마 관련 교육 [1] 1383
668 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1118
667 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 437
666 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 808
665 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 862

Boards


XE Login