안녕하세요, dry etch 관련 업종에서 일하는 직장인 입니다

 

현장에서 발생하는 문제에 궁금증이 있어 자문을 구하고자 합니다.

ETCH 공정이후 ASHING공정을 연속 PLASMA를 사용하여 스텝을 전환하는데요,

Ashing 공정으로 전환시 source reflect가 수준이 약해 매끄럽게 매칭이 되는 경우가 있는 반면, reflect 수준이 강하여 rf power drop이 발생하며 매칭이 되지 않는 경우가 종종 발생합니다, 이경우 심하면 esc에 arc가 주로 발생을 하는데...원인을 찾기가 어렵네요...

 

Matcher 파라미터(위상)변경 및 제너레이터 교체, esc교체 등을 해보았으나 여전히 power drop 현상이 남아있습니다. 여러개의 챔버를 대상으로 power drop 빈도수를 확인해보면 어떤 챔버는 power drop이 전혀 발생하지 않고, 어떤 챔버는 약  10%확률로 power drop이 발생합니다.

 

연속 plasma 공정 특성상 가스종류 및 프레셔가 급변하여 reflect가 발생은 예상했지만, 챔버별로 유의차가 나오니 원인을 trace 중입니다.

 

추정원인으로

-icp구조의 안테나측 capacitor가 내전압특성을 잃어서?

-Gas 종류의 변동(ar->o2)으로 esc chuck력이 약해져서?

로 생각이 되는데...relecct가 심하면 esc arc까지 발생되는 이유가 있을까요?

문제 해결을 위해 조언을 주신다면 감사하겠습니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
683 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 955
682 RF Sputtering Target Issue [2] file 573
681 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 592
680 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1786
679 plasma striation 관련 문의 [1] file 462
678 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 538
677 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 617
676 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 536
675 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1122
674 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1119
673 Plasma Arching [1] 1025
672 Polymer Temp Etch [1] 635
671 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 973
670 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 456
669 플라즈마 관련 교육 [1] 1384
668 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1124
667 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 437
666 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 809
665 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 868
664 RF 파워서플라이 매칭 문제 799

Boards


XE Login