플라즈마 관련 대학원에 진학 예정중인 학부생입니다.

먼저, 저의 무지함에 용서를 바라며 기초적인 질문을 드릴려고 합니다.


첫 질문은 제가 공부중인 책에선, CCP나 Icp에서 플라즈마가 형성되었을 때, 전자밀도와 위치 그래프를 보면 전자밀도는 bulk 영역내에선 동일하였습니다.

허나, icp의 경우, comsol로 간단한 icp를 이용헌 argon 방전 예제를 돌려보았는데 챔버의 중심부에서 전자밀도가 가장 높았습니다.

쉬스에 의해서 밀도가 감소하는 영역이 동일하니까 전자밀도의 분포가 대칭을 이룬다는 것은 어느정도 이해가 가지만, 시뮬레이션과 다르게 책에선 bulk내의 전자밀도가 왜 동일한지가 궁금합니다.(ac source의 주파수와 시간의 곱이 0일 때)

아니면 이러한 bulk 내에서의 전자밀도의 분포가 온도, 압력, 전원소스의 크기, 주파수 등 여러 인자에 인해서 바뀌는 건지도 궁금합니다.


두번째 질문은 플라즈마 형성시 챔버의 geometry가 왜 중요한지 궁금합니다. 

저는 여러 물리 인자들, 예를 들면 온도, 압력, 주파수 등 이런 것들에 의해서 방전이 좌우되고 플라즈마 특성에 영향을 준다고 생각했는데 챔버의 구조도 중요하다고 읽었습니다.

가스 주입구나 배출구, 전원소스의 위치의 중요성은 아직은 설명은 못하겠지만 직관적으로 중요하다고 생각이 듭니다.

하지만, 챔버가 원기둥인지, 육면체인지, 혹은 챔버의 반경과 높이 등 이런 요소들이 왜 플라즈마 형성에 치명적으로 영향을 끼치는지 잘 모르겠습니다.

물론, 높이나 반경 이런 요소들이 극심하게 차이가 난다면 전기장에 영향을 끼쳐 방전이 달라질 것이라고 생각이 들지만...

제가 챔버의 geometry에 너무 둔감하다고 생각합니다. 챔버의 geometry 중요성에 관해 조언을 구할 수 있을까요?


마지막 질문은 플라즈마 전위입니다. 저는 플라즈마에서 bulk 영역의 전위가 일정하게 생기는 이유를 회로관점으로 이해하였습니다.

플라즈마의 저항 성분 때문에 bulk 영역에 포텐셜이 생기고, bulk 내에선 전자와 이온의 수가 거의 같아 전기장이 거의 0에 가까워서 전압차가 나지않는다고 생각하였는데, 좀 더 고민해보니 부족한 점이 많은 설명이라고 생각합니다.

구체적으로, 저항 소자의 양쪽 node에 같은 전압을 걸어준 case가 bulk영역의 포텐셜과 같은 경우라고 생각하는데, 근본적으로 플라즈마의 저항 성분이 왜 생기고, 이 전위가 왜 걸리며 전위의 크기는 어떻게 결정되는지 궁금합니다.



스스로 좀 더 고민을 하고 책을 찾아보며 답을 찾는게 가장 좋은 방법이겠지만, 지금 이 수준이 저의 수준이라고 생각합니다.

부끄럽지만 답변 기다리겠습니다.

읽어주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
683 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 543
682 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 550
681 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 554
680 핵융합 질문 [1] 561
679 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 566
678 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 567
677 활성이온 측정 방법 [1] 570
676 RF Sputtering Target Issue [2] file 570
675 plasma 공정 중 색변화 [1] 571
674 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 572
673 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 574
672 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 577
671 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 578
670 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 581
669 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 585
668 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 586
667 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 588
666 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
665 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 592
664 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 594

Boards


XE Login