Sputtering sputter
2004.06.25 10:55
질문 ::
Glass ITO(Indium tin Oxide) sputter coating을 할때
온도의 변화가 막에 어떤 영향을 주는지 알고 싶네요..
온도의 변화가 중요한 영향을 미치는것으로 알고있습니다.
답변 부탁드립니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [219] | 75415 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19148 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56477 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67542 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89320 |
72 | SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] | 4605 |
71 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] ![]() | 5090 |
70 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5229 |
69 | 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] | 5248 |
68 | RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] | 5833 |
67 | 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 | 5875 |
66 | O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] | 6175 |
65 | 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] | 6382 |
64 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6544 |
63 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7652 |
62 | 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] | 7863 |
61 | 고온 플라즈마 관련 | 8064 |
60 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8357 |
59 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9208 |
58 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9359 |
57 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10156 |
56 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 10514 |
55 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12026 |
54 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14699 |
53 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 14989 |