안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.


몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.


1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?


2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?


3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.


마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
663 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4712
662 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1216
661 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 668
660 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
659 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1410
658 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 474
657 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1026
656 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 585
655 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1001
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 588
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1045
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1477
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 856
650 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 825
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4121
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 966
645 plasma 형성 관계 [1] 1464
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 2856

Boards


XE Login