Deposition 플라즈마를 이용한 박막처리

2004.06.19 16:29

관리자 조회 수:19440 추천:293

  플라즈마를 이용한 박막처리는 오랜 역사를 갖고 있으며 실로 광범위하게 이용되고 있습니다. 특히 최근에는 환경 친화적이며 미세 구조처리가 가능하여 매우 각광을 받고 있습니다. 구체적으로 플라즈마 박막공정은 플라즈마 환경하에서 물질의 표면에 얇은 막을 쒸우는 것을 의미합니다. 반응기에 기체 및 박막 물질을 주입하고 이온화를 시켜서 플라즈마를 발생합니다. 따라서 반응기 내에는 많은 수의 이온과 전자들로 구성되어 있는 플라즈마와 미처 이온화가 일어나지 않은 중성 기체와 박막 입자들이 존재하게 됩니다. 박막 입자들이 처리 대상 표면에 침착하여 박막을 형성하게 되는데 이들 입자들의 활성화에 플라즈마 이온들이 사용되게 됩니다. 이런 과정을 거쳐서 박막이 형성되므로 플라즈마 성질을 잘 이용하면 박막의 특성도 향상되게 됩니다.

  물질 표면에 박막처리를 함으로써 물방울 형성을 제어하거나 향상시킬 수도 있습니다. 예를 들어 폴리머 계열은 물이 잘 맺히는데 만일 산소 플라즈마 처리를 하면 맺힌 물방울이 풀어지게 됩니다. 따라서 처리된 물질의 표면에는 물방울이 맺히지 않고 넓게 퍼지게 됩니다. 빛은 물방울을 통과하면서 난반사를 함으로 유리등의 표면에 물방울이 맺히게 되면 시야가 나빠지게 됩니다.
이렇게 물이 물질의 표면에서 물방울을 만드는 정도를 친수성과 소수성으로 표현하게 되는데, 물질표면의 친수성과 소수성의 향상을 위한 플라즈마 처리는 박막이용의 한 예에 불과합니다. 현재 KIST의 한승희 박사님 연구실에서 PSII를 통해 이러한 연구를 진행중입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
62 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4244
61 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3764
60 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3146
59 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2880
58 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8023
57 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6484
56 고온 플라즈마 관련 8090
55 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
54 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7695
53 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10280
52 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15790
51 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29237
50 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31636
49 Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. 20194
48 H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] 19408
47 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 29946
46 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. 17190
45 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 34920
44 UBM 스퍼터링 장비로... [1] 20886
43 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23720

Boards


XE Login