Etch Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp]
2020.08.05 14:15
안녕하세요.
저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.
궁금한게 있어 문의 드립니다.
열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.
예를 들어 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고
Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면 열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.
(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)
그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?
혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.
제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.
감사합니다.
공정 교육에서 공부하셨듯이 입자와 재료의 간의 반응은 입사하는 입자속과 에너지 및 표면 온도에 민감합니다. 따라서 반응기 내벽의 온도( 특히 내벽 표면의 온도) 분포가 중요하겠습니다. 이를 판단하려면 생성되는 믈라즈마의 분포가 중요하겠고, 플라즈마가 전달하는 에너지 (전자의 경우, 전자 온도 와 이온의 경우 쉬스 에너지) 전달을 고려하는 것이 좋겠습니다. 이에 의해서 표면에서 byproduct의 반응이 결정될 수 있겠습니다. 따라서 장비의 열전달 문제는 플라즈마를 가두는 용기가 갖는 bulk 온도와 함께 플라즈마와 접촉하는 내벽의 온도를 함께 고려햐야, 공정을 제어하기가 용이할 것 같습니다.