안녕하십니까 교수님


공정 실습 중 Dechucking 이슈에 대해 궁금증이 있어 이렇게 글을 남깁니다.

제가 확인한 이슈는 dechucking 이후 핀업 진행 시 웨이퍼가 슬라이딩 하는 문제였는데, 해당 이슈에 대해 config값을 (0->5)변경하여 He flow가 되도록 조치했다는 것을 알았습니다.

chucking 과정중 He의 역할이 온도를 낮추는 역할 정도로 알고 있는데, He 가스가 chucking에서 어떤 역할들을 하는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77297
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20493
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57412
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68942
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92988
65 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1215
64 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1212
63 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1206
62 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1188
61 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1179
60 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1155
59 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1152
58 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1149
57 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1142
56 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1119
» Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1112
54 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1102
53 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1084
52 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1027
51 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 921
50 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 916
49 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 903
48 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 870
47 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 860
46 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 775

Boards


XE Login