안녕하십니까 교수님

 

공정 실습 중 Dechucking 이슈에 대해 궁금증이 있어 이렇게 글을 남깁니다.

제가 확인한 이슈는 dechucking 이후 핀업 진행 시 웨이퍼가 슬라이딩 하는 문제였는데, 해당 이슈에 대해 config값을 (0->5)변경하여 He flow가 되도록 조치했다는 것을 알았습니다.

chucking 과정중 He의 역할이 온도를 낮추는 역할 정도로 알고 있는데, He 가스가 chucking에서 어떤 역할들을 하는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] 78472
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21040
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57865
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69399
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93943
72 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1323
71 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1276
70 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1264
69 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속] [1] 1261
68 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1255
67 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1252
66 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1237
65 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1230
64 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1229
63 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1199
62 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1177
61 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1167
» Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어] [1] 1163
59 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching] [3] 1146
58 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1120
57 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 992
56 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 986
55 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 973
54 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 964
53 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 892

Boards


XE Login