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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[267]
| 76710 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20162 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57162 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 68684 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
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668 |
반도체 관련 플라즈마 실험
[1] | 1222 |
667 |
스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항
[1] | 443 |
666 |
방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다.
[1] | 812 |
665 |
Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다
[1] | 879 |
664 |
RF 파워서플라이 매칭 문제
| 814 |
663 |
CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.
[1] | 4907 |
662 |
RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유
[1] | 1238 |
661 |
플라즈마 진단 공부중 질문
[1] | 685 |
660 |
플라즈마 샘플 위치 헷갈림
[1] | 604 |
659 |
N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점
[1] | 1440 |
658 |
플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법
[1] | 484 |
657 |
etch defect 관련 질문드립니다
[1] | 1053 |
656 |
Co-relation between RF Forward power and Vpp
[1] | 592 |
655 |
RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다.
[1] | 1005 |
654 |
연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준
[1] | 591 |
653 |
RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소
[1] | 1056 |
652 |
Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다.
[1] | 1509 |
651 |
플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor
[1] | 874 |
650 |
doping type에 따른 ER 차이
[1] | 2049 |
649 |
ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다.
[1] | 831 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.