안녕하세요.

저는 RF를 전공하고, 현재 RF 소자 시뮬레이션 관련 일을 하고 있는 강경석이라고 합니다.


기존에는 안테나나 필터와 같은 RF수동소자에 대해서 해석을 주로 진행하였습니다만, 반도체 공정 장비에 대한 해석업무를 하게 되었습니다. 

그래서 공정 장비에 RF 해석을 어떤 부분에서 접목 가능할까부터 시작하였고, 스터디 결과, 플라즈마를 이용한 ICP, CCP, Ion implantation에 접목 시킬 수 있겠다 라는 결론이 도출 된 상태입니다.

그래서 ICP, CCP, Ion implant 관련하여 스터디 하는 도중에 막히는 부분이 생겨서 이렇게 질문드립니다.


제가 공부한 바로는 플라즈마를 발생시킬 때 가스에 인가하는 에너지 타입에 따라서 ICP, CCP로 나뉜다고 이해 하였습니다.

그리고 Ion implant는 Ion을 주입하여서 반도체 wafer에 어떤 극성을 갖게 만드는 것이라고 이해하였구요,


여기서 질문은 그럼 ICP, CCP 장치에서 발생시킨 플라즈마를 가지고 Ion Implant 공정에 활용 하는 것인가요?

1. ICP. CCP에서 발생시킨 플라즈마에서 양이온만을 골라내서 Ion implant 공정에 활용하는것인지 궁금합니다.

2. 양이온만 골라내고, 나머지 전자는 어떻게 처리하는지 궁금합니다.


제가 전공이 이쪽이 아니라서, 질문이 너무 애매모호 합니다..ㅠ 질문도 많은것을 알고 있어야 정확하게 질문할 수 있는데, 제가 배경지식이 너무 부족하다보니 질문이 애매하네요, 바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48332
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 48012
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 53773
382 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 483
381 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 159
380 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 1202
379 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 582
378 고진공 만드는방법. [1] 480
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 185
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 256
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 268
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 240
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 293
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 1364
371 플라즈마 압력에 대하여 [1] 737
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 951
369 활성이온 측정 방법 [1] 248
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 472
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 716
366 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 779
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1478
364 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 675
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 476

Boards


XE Login