안녕하세요.


저는 CVD로 탄소화합물을 합성하는 일을 하고 있습니다만, 진공장치, 플라즈마에 대해서는 전공분야가 아니다 보니 원천기술이 많이 부족합니다.


알곤 분위기의 CVD장비로 수소와 탄소 등의 가스를 사용하여 탄소화합물을 만들때 챔버 내부의 오염이 공정에 영향을 주는 것으로 파악되고 있는데, 추정하기를 챔버 내부의 산소 또는 수분의 영향으로 짐작하고 있습니다.

1. 챔버의 진공도를 어느 정도 낮추어야 산소나 수분의 영향을 거의 없도록 할 수 있을까요? 물론 UHV까지 낮추면 좋겠지만, 통상 10 -6승에서 10 -3승까지 운용하고 있는데, 이 정도의 진공도에서 산소나 수분의 영향이 어떤지 모르겠습니다.


2. 완전한 고진공(UHV)로 내리는 것 말고 산소나 수분을 효율적으로 제거하는 방법이 있는지요?

3. 챔버 내벽에 산소나 수분이 붙어 있다고 해도, 챔버 내부로 떨어져 공간에 있지 않다면(물론 내벽에서 떨어지면 공간에 있겠지만, 진공을 계속 뽑는중이라 제거가 되지 않는지?) 챔버 내부의 샘플에 영향을 줄지 아니면 외부로 배출되는 확률이 높은지 알 수 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
663 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4722
662 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1216
661 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 673
660 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
659 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1412
658 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 474
657 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1027
656 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 585
655 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1001
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 588
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1045
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1480
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 856
650 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 825
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4122
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 967
645 plasma 형성 관계 [1] 1467
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 2859

Boards


XE Login