안녕하세요, 교수님.

CCP Plasma 를 이용해 SiH4 와 N2O gas 를 flow 시키면서 SiO2 막질을 형성하는 공정 진행중, Chamber wall 부분에서 특이점이 발생하여 문의드립니다.

Chamber 내부에 형성된 plasma 보다 밝기는 더 밝은 모양의 Parastic plasma 가 chamber wall 부분을 따라 계속해서 왔다 갔다 움직이는 현상입니다.

RF power 가 지나가는 path 의 component 연결상태를 다시 확인 후 다시 plasma 를 켰을때, parastic plasma 의 위치만 변했을 뿐, 현상은 동일합니다.

이와 같은 현상이 발생하는 원인이 무엇일까요? Chamber 내부 conditioning 이 덜 되어서 일지, 아님 실제로 RF power loss 가 Capacitively Coupled 된 두 기판 사이의 어디선가 발생하여 기인된  것일까요?

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
663 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4720
662 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1216
661 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 670
660 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
659 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1412
658 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 474
657 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1027
656 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 585
655 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1001
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 588
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1045
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1479
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 856
650 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 825
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4122
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 967
645 plasma 형성 관계 [1] 1466
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 2859

Boards


XE Login