OES OES 분석 관련해서 질문드립니다.

2021.07.19 16:35

sunny 조회 수:1328

Plasma etching 관련하여 공부를 하고 있는 학생입니다.

 

plasma를 분석하는 대표적인 방법 중 하나가 OES인데 저 역시도 분석장비를 여러번 사용하고 분석도 해보았습니다.

 

그런데 OES 분석 시 특정 peak의 intensity (height)을 통해 plasma 내 radical의 정성분석을 하게 되는데 왜 특정값만 사용하고 일정 공간의 넓이 (area)로 계산하지 않는지 잘 모르겠습니다.

 

관련 논문이나 책도 많이 찾아봤는데 "intensity를 분석했다." 라고만 나오고 왜 intensity를 분석했는지에 대해선 안나오더라구요.

 

개인적인 추측으로는 OES 분석이 각 원자나 분자가 relaxation되면서 방출되는 파장이 불연속적 값이라서지 않을까 생각되긴 하는데 이거만으로는 intensity로 분석하는 것에 대한 근거가 부족하다고 생각이 들었습니다. 

 

Intensity를 포함하는 일정 영역의 넓이를 계산하지 않고 특정 intensity 값을 통해 분석하는 명확한 이유를 알 수 있을까요?

 

참고할 수 있는 문헌이 있다면 알려주시면 자세히 읽어보도록 하겠습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
663 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
662 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
661 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 599
660 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 601
659 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 614
658 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 617
657 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 629
656 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 633
655 Polymer Temp Etch [1] 635
654 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 641
653 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 650
652 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 650
651 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 651
650 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 652
649 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
648 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 673
647 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 673
646 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 675
645 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 676
644 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 678

Boards


XE Login