Sputtering DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시

2004.06.25 16:40

관리자 조회 수:19710 추천:311

질문 ::

DC MAGNETRON SPUTTER에서 T/G쪽에 (-)를 인가하는데
(+)를 인가하면 SPUTTERING이 가능한지요?????

답변 ::

Sputtering은 타겟 표면의 에너지를 인가하여 시편 표면의 원자들이
튀어나옴으로서 가능합니다. 따라서 타겟 표면에 에너지를 효율적으로
전달하기 위해서는 플라즈마 내에서 질량이 큰 입자를 사용하고
이 입자에 에너지를 효율적으로 줄 수 있어야 합니다. 이 조건을
만족하는 것은 이온으로 양전하를 띄고 있어 전기장을 인가함으로서
이온에 에너지를 줄 수 있으며 질량도 큽니다. 따라서 에너지 높은
이온을 이용하려면 타겟에 음전위를 인가해야 할 지 양전위를 인가해야
할가에 대한 답이 나옵니다. 여기서 양전위 혹은 음전위의 기준 전위는
밖에서 정하는 접지 전위가 아닌 플라즈마 전위 혹은 플라즈마 부유 전위가 기준이 됩니다. 참고하세요

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
663 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
662 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
661 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 599
660 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 601
659 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 614
658 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 617
657 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 629
656 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 633
655 Polymer Temp Etch [1] 635
654 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 640
653 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 650
652 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 650
651 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 650
650 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 651
649 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
648 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 670
647 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 673
646 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 675
645 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 676
644 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 678

Boards


XE Login