Matcher 매칭시 Shunt와 Series 값

2021.05.17 15:38

피했습니다 조회 수:776

안녕하세요. 반도체 장비 기업에 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 CCP 방식을 쓰는 장비를 운용하기 위해서 매칭을 하는데,

 

매칭을 잘? 혹은 효율적으로 빠르게 하기 위해서 처음에 Shunt, Series 값을 지정해 주고 있습니다.

 

그렇게 하래서 하고는 있는데 이 값들이 매칭에 어떤 영향을 끼치게 되는 것인지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4913
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16252
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63759
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83573
559 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 631
558 알고싶습니다 [1] 631
557 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 633
556 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 633
555 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 640
554 플라즈마 챔버 [2] 651
553 플라즈마 충격파 질문 [1] 658
552 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 661
551 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 672
550 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 673
549 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 674
548 문의 드립니다. [1] 675
547 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 680
546 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [2] 682
545 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 683
544 RF 전압과 압력의 영향? [1] 685
543 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 689
542 RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] 690
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 695
540 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 698

Boards


XE Login