안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20179
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 832
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4147
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1116
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 973
645 plasma 형성 관계 [1] 1512
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 2915
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3411
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4804
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2009
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1112
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1270
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
637 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1676
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1345
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1167
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1605
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 714
632 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2311
631 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1514
630 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 450

Boards


XE Login