안녕하십니까 교수님


공정 실습 중 Dechucking 이슈에 대해 궁금증이 있어 이렇게 글을 남깁니다.

제가 확인한 이슈는 dechucking 이후 핀업 진행 시 웨이퍼가 슬라이딩 하는 문제였는데, 해당 이슈에 대해 config값을 (0->5)변경하여 He flow가 되도록 조치했다는 것을 알았습니다.

chucking 과정중 He의 역할이 온도를 낮추는 역할 정도로 알고 있는데, He 가스가 chucking에서 어떤 역할들을 하는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5817
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17284
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53112
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64497
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85109
558 알고싶습니다 [1] 816
557 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 1770
556 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 479
555 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 512
554 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2266
553 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1245
552 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2110
551 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 489
550 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1241
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 2391
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 724
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10242
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1285
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 641
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 2484
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 345
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1528
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 920
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 2465
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11010

Boards


XE Login