안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 2855
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3362
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4738
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1893
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1088
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1249
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3949
637 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1630
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1320
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1141
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1564
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 705
632 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2277
631 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1484
630 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 445
629 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1267
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1949
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8658
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3498
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14683

Boards


XE Login