안녕하십니까 플라즈마 입문단계를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 공부를 하는 중에 플라즈마 소스 부분에 직류 글로우 방전에서 r-process 부분에서 2차 방출이 일어나는데

여기서 이차전자가 이온화를 잘시키는 것으로 알고 있습니다. 하지만 이온은 그에 비해 잘 시키지 못한것 같습니다

정리하자면 플라즈마에서 이온은 전자에 비해 중성종을 이온화시키기 어려운 이유가 무엇일까요?

기본적인 내용인데 많이 부족해서 모르겠습니다.

부탁드립니다!! 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76711
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68687
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92253
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4141
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1116
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 972
645 plasma 형성 관계 [1] 1511
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 2912
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3410
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4800
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2006
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1109
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1269
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3963
637 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1675
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1343
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1163
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1605
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 714
632 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2310
631 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1513
630 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 450
629 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1306

Boards


XE Login