안녕하세요.

대학원에서 플라즈마에 대해 공부하고 있습니다. 

플라즈마 생성 후 절연체를 넣고 쉬스가 생성된 후에 

플라즈마에서 기판으로 갈 때 전자는 지수적으로, 이온은 선형적으로 감소한다고 하는데

그 이유가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [126] 5571
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16853
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51343
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64184
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84145
550 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1179
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 2059
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 695
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10224
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1154
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 604
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 2091
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 326
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1407
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 805
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 2275
539 플라즈마 살균 방식 [2] 10914
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 880
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 1260
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 295
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 763
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 1828
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 5970
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 864
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 1838

Boards


XE Login