Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2456

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [326] 97322
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23702
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 60397
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72250
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 102538
692 전공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [Ion beam source] [1] file 799
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 29823
690 plasma modeling 관련 질문 [Balance equation] [1] 532
689 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [OES와 atomic spectroscopy] [1] 1060
688 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 902
687 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [Global model과 Balance equation] [1] 1359
» Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2456
685 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [Plasma density와 Balance equation] [1] 1651
684 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [수소, Ar 단원자 진단] [1] 1163
683 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1353
682 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 978
681 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [데이터+플라즈마광학 모델] [1] 885
680 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2514
679 plasma striation 관련 문의 [Plasma striation] [1] file 800
678 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 690
677 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [Plasma heating] [1] 890
676 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 877
675 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [Plasma cleaning] [1] file 1633
674 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [Pachen's law와 Ar Gas] [1] 1739
673 Plasma Arching [Plasma property] [1] 1362

Boards


XE Login