Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment
2021.06.24 22:36
안녕하십니까 교수님!!.
가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.
PECVD에서..
HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상
LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요?
density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.
(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.
막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지
(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)
아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다.
추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고
반대로 LF영역에서는 frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?
질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76685 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57159 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68680 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92210 |
647 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 692 |
646 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 693 |
645 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 694 |
644 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 697 |
643 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 702 |
642 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 706 |
641 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 706 |
640 | 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] | 709 |
639 | ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] | 712 |
638 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 712 |
637 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 718 |
636 | ICP 후 변색 질문 | 723 |
635 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 723 |
634 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 734 |
633 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 734 |
632 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 735 |
631 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 740 |
630 | 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] | 751 |
629 | RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] | 753 |
628 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 753 |