안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.


몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.


1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?


2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?


3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.


마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2361
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12953
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49619
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61116
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 79627
519 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 653
518 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 658
517 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 659
516 진학으로 고민이 있습니다. [2] 667
515 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 674
514 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 677
513 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 678
512 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 682
511 Plasma Generator 관련해서요. [1] 688
510 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 689
509 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 689
508 CVD 공정에서의 self bias [1] 694
507 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 697
506 공정플라즈마 [1] 702
505 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 706
504 고진공 만드는방법. [1] 723
503 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 725
502 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 728
501 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 735
500 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 748

Boards


XE Login