안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.

쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.

 쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.

제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.

왜 그런지 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5611
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16907
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51349
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64213
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84234
83 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1222
82 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1220
81 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1201
80 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1190
79 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1189
78 플라즈마 기초입니다 [1] 1110
77 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1047
76 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1046
75 자기 거울에 관하여 1030
» 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 985
73 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 980
72 Group Delay 문의드립니다. [1] 959
71 플라즈마 코팅 [1] 957
70 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 939
69 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 881
68 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 876
67 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 841
66 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 841
65 wafer bias [1] 829
64 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 827

Boards


XE Login